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川儀微電路與鍵合科技商談IGBT功率器件的戰略合作
來源: | 作者:上游新聞 | 發布時間: 2022-12-09 | 231 次瀏覽 | 分享到:
9月13日,中國四聯集團重慶川儀微電路電器有限責任公司總經理趙光劍一行來到重慶鍵合科技有限責任公司,商談在IGBT、半導體、芯片等封裝領域業務合作的可行性。


重慶川儀微電路有限責任公司(簡稱川儀微或川儀六廠)隸屬于中國四聯集團(國有企業),注冊資金6000萬元,是一家致力于電子組裝服務與微電子模塊設計與制造的領先科技企業。 
                                                                      



川儀微從建廠初期半導體器件生產、經中期的厚薄膜集成電路生產,到現在形成了電子制造服務與組包(EMS)、磁性器件、混合集成電路三大業務板塊。經過多年的技術投入和市場拓展,具備了為客戶提供從器件到模塊直到系統板級開發和制造能力,特別是在電力電子與新能源電子設計與制造、筆記本電腦電子制造業務、汽車電子業務、通訊類磁性器件設計與制造及工業特種厚膜集成電路設計與制造建立起市場和制造優勢,產品涵蓋UPS、風能、控制系統、兆瓦級能源控制系統、5G電力電源、充電樁、移動充電樁、儲能系統、超高壓柔性直流輸電控制系統、筆記本電腦觸控板、網絡數據交換機、工業控制系統、通訊電源、特種加熱器及檢測系統、汽車電子、工業傳感器等等。
鍵合科技陳衛華總經理向趙光劍總經理一行介紹了公司技術的淵源、技術成果、技術特點以及目前實現的技術應用領域。特別就鍵合技術在IGBT、半導體等功率器件封裝領域所開展的各項工作,鍵合技術在IGBT分立器件可以實現的相關優勢與價值,以及在IGBT分立器件產品開發的進展等情況進行了詳細的闡述。


    

趙光劍總經理介紹了川儀微電路公司的優勢業務與相關能力,對鍵合科技研發團隊20年來潛心致力于CGDS原創技術研發與技術應用表達了贊賞,對鍵合科技不斷取得的技術成果與應用表示了肯定,認為雙方可以發揮各自的條件與優勢在半導體封裝以及更多的領域開展合作。



鍵合技術在IGBT、芯片等半導體封裝領域的價值與優勢:

解決IGBT等半導體功率器件系統散熱最大的瓶頸---界面熱阻問題,實現功率器件高效散熱(比原有導熱硅脂方案,導熱能力最高提升40倍),使功率器件工作環境溫度更適宜(與原有方案相比,功率器件工作溫度可以降低12-18°C),進而提升功率器件的功效與運行穩定性、可靠性,大幅延長功率器件的壽命(接近一倍),并達到降體積、降重量、降成本的效果,同時器件封裝無需反復緊固,避免因緊固工作不到位帶來的重大安全風險。鍵合技術的熱管理方案/產品對新能源汽車電驅動IGBT模塊熱管理,風電、光伏逆變器IGBT模塊散熱以及其他領域的IGBT模塊散熱有了更優更系統的解決方案。同時對半導體功率器件的封裝具有里程碑意義,可以減少或擺脫對境外技術的限制與依賴,全面提升半導體功率器件與功率組件的產業品質。

                                                                 



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